米国のパワーエレクトロニクス展示会「APEC 2019」にパナソニックのGaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展

2019年2月19日

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「APEC 2019」パナソニックブース イメージ

パナソニック株式会社は、2019年3月17日(日)から21日(木)まで、アメリカ カリフォルニア州・アナハイムで開催される「APEC 2019」(The Applied Power Electronics Conference and Exposition 2019)に、GaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展します。

パナソニックブースでは、既存材料であるSi(シリコン)の物理限界を超える低損失特性を持つGaN(窒化ガリウム)/SiC(炭化ケイ素)の要素技術をベースに、デバイス単品、ソリューション、アプリケーション事例を出展、電気機器の小型化、省エネルギー化につながる製品を提案します。

【APEC 2019 展示会開催概要】
■会期:2019年3月18日(月)~20日(水)
■会場:ANAHEIM CONVENTION CENTER(カリフォルニア州・アナハイム)
■「APEC 2019」公式ホームページ:http://www.apec-conf.org/
■パナソニックブース:Booth 913
http://floorplan.itswebs.com/fxfloorplan/APEC19/exfx.html#floorplan

【出展者セミナーの情報】
以下の通り、出展者セミナーを実施いたします。
■日時:2019年3月19日(火)15:00~15:30
■場所:ANAHEIM CONVENTION CENTER Session Room:303AB
■タイトル:"X-GaN Power Transistor Breakdown Mechanisms."

【主な出展内容】
・X-GaN(TM)パワーデバイス、X-GaN(TM)ソリューション
パナソニックの耐圧600VのGaNパワーデバイス「X-GaN (TM)」 は、独自のデバイス構造を採用し、ノーマリーオフ化と電流コラプスフリーを実現し、電源の小型化と高効率化に貢献します。この高いX-GaNの性能を最大限に活かすことができる、産業向けサブシステムや、アプリケーションデモ、および評価環境も出展します。

・SiC-DioMOSデバイス、SiC搭載モジュール
パナソニックのSiC-DioMOSは、パナソニック独自のDioMOS(Diode-integrated MOSFET)構造により、電源やインバータに必要な還流ダイオードの機能をトランジスタに付加することでSiC搭載モジュールを小型化することが可能です。本展示会では、SiC-DioMOSを内蔵したモジュールも出展します。

・GaN双方向スイッチ(参考出展)
パナソニック独自のデバイス構造の採用により、1素子で電流の双方向通電・単方向通電・遮断を実現する双方向スイッチを提供します。このGaN双方向スイッチを駆動できる、小型のDBM(Drive-by-Microwave)絶縁ゲートドライバを同時に展示します。素子数の削減および導通損失の大幅な低減が実現でき、電力変換回路の小型化、高効率化に貢献します。

【商品に関するお問い合わせ】
・GaNパワーデバイス関連製品について
パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
https://industrial.panasonic.com/cuif/jp/contact-us?field_contact_group=837&field_contact_lineup=3387

【出展品関連情報】
・X-GaN(TM)パワーデバイス
▼[商品紹介] GaNパワーデバイス
https://industrial.panasonic.com/jp/products/semiconductors/powerics/ganpower

パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社
https://www.panasonic.com/jp/corporate/ais.html
パナソニックデバイス販売アメリカ
https://na.industrial.panasonic.com/

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  • GaN双方向スイッチ搭載ボード
発表年月
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