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2021年4月14日

令和3年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において科学技術賞を受賞

パナソニック株式会社は、令和3年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において、「ICT社会を支える世界初の新規バリスタの開発」で科学技術賞（開発部門）を受賞し、本日、文部科学省（東京都千代田区）にて表彰式が行われました。受賞内容は下記のとおりです。

【受賞内容】

テーマ：ICT社会を支える世界初の新規バリスタの開発
受賞者：
- ・松岡道雄（まつおかみちお）：元パナソニック（株）
- ・古賀英一（こがえいいち）：パナソニック（株）テクノロジー本部マテリアル応用技術センター主幹研究員
- ・東佳子（ひがしよしこ）：パナソニック（株）インダストリアルソリューションズ社
  デバイスソリューション事業部技術開発センター主任技師

【開発の背景】

バリスタは、ある一定以上の電圧が加わると電気抵抗が減少して電流が流れるという非線形な電流電圧特性を有するため、静電気、雷などの過電圧から電子機器を保護するための素子として用いられています。通信・ネットワークの高度化に伴い、無線通信用アンテナやHDMI等の高速信号インターフェースをはじめとする高周波回路に対応可能な低静電容量バリスタの需要が高まるなか、従来のバリスタ材料では低静電容量化と耐久性の両立は困難でした。

【開発技術の内容】

バリスタの動作原理に基づき、半導体pn接合界面の静電気に対する安定性の知見を多結晶体に応用展開し、新たなZnOバリスタ材料を開発しました。これにより、5.6 Vの低電圧バリスタを世界で初めて実用化したことに加え、高保護性能・耐久性と低静電容量を両立しGHz帯回路に適用可能な世界初の放電機構内蔵バリスタを実用化しました。また、精密な酸素分圧焼成により界面障壁を形成し世界初の内部電極を卑金属とする低コストバリスタを開発しました。