プレスリリース

2013年7月30日

業界トップレベル※1の低消費電力により機器の長時間駆動に貢献

ReRAMをマイコンに搭載し世界で初めて※2量産

2013年8月から量産開始

製品番号

パナソニック株式会社オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、2013年8月より次世代不揮発性メモリReRAM[1]をマイコンに搭載し世界で初めて※2量産を開始します。本マイコンを使用することによりポータブル機器やセキュリティ機器等、電池駆動機器の長時間駆動を実現し、メンテナンス回数を削減可能です。量産化商品の第1弾は低消費電力8bitマイコンMN101LRシリーズです。

製品名 ReRAMマイコン
シリーズ名 MN101LRシリーズ
量産開始 2013年8月
量産規模 100万個/月

近年、健康志向の高まりに向けたポータブルヘルスケア機器、防災・防犯に向けたセキュリティ機器などの電池駆動機器がますます増えてきています。これらの機器では電池の駆動時間を長くすることで、電池交換頻度を低減しメンテナンスの回数を少なくしたいという要望が高まってきています。また、機器の高機能化に伴い、高速で情報をメモリに読み書きすることが要求されています。この要望に応えるため、低消費電力で高速書換えの特長を持つ不揮発性メモリReRAMを内蔵したマイコンシリーズを商品化しました。本シリーズの第1弾として、液晶表示制御や高精度12bitアナログデジタル変換機能、時計機能などの豊富な周辺機能を内蔵した16品種を商品化します。また、今後はReRAMマイコンを電子パスポートなどの非接触ICカードやクラウドにつながるウェアラブル機器、エナジー・ハーベスト[2]関連製品などへと応用分野を広げていきます。

【特長】

  1. 電池駆動機器に最適な低消費電力を実現し、製品の長時間駆動に貢献
    新規開発の0.18μmReRAMと低消費電力プロセスを採用したマイコンを世界で初めて※2量産。低消費電力化を実現し、お客様製品の長時間駆動の実現に貢献します。
  2. ReRAMの高速・低消費・バイト書換えの特長を活かしシステムコストを低減可能
    バイト単位での高速・低消費電力書換えにより、従来外付けしていたEEPROM[3]を容易に 削減できシステムコスト低減が可能です。
  3. 高速で信頼性の高い書換えで、幅広いアプリケーションに適用可能
    今回量産するReRAMは、金属酸化物を使った酸化・還元反応による書換え原理のため、信頼性の高い高速書換えが実現でき、産業用途等に最適です。
  1. ※1不揮発性メモリ内蔵マイコンとして 2013年7月30日、当社調べ。
  2. ※2ReRAMとして 2013年7月30日、当社調べ。

【用途】

血圧計・活動量計などのポータブルヘルスケア機器、火災警報器などのセキュリティ機器、エコマネジメント用センサ機器、電子パスポートなどの非接触ICカード


【特長の説明】

1.電池駆動機器に最適な低消費電力を実現し、製品の長時間駆動に貢献

外部3V時のストップ時電流60nA、リアルタイムクロック(RTC)動作時200nAと業界最小レベルの低消費電流を実現しました。これにより、「RTC動作と通常動作」「ストップ状態と通常動作」を繰り返すような間欠動作システムの平均電流を削減し、お客様製品の駆動時間が長くなることにより電池交換のメンテナンス頻度低減を実現します。

2.ReRAMの高速・低消費・バイト書換えの特長を活かしシステムコストを低減可能

従来のフラッシュメモリは、書換えを行うにはセクタ単位での消去が必要、消去時間が長い、書換え中の消費電流が多いなどの課題がありました。ReRAMはバイト単位での書換えが可能であり、お客様のプログラムからアドレスを指定してバイト単位で書換えを行うためセクタ管理などの制御は不要になります。このため、従来外付けしていたEEPROMを削減したシステム構築が容易になり、システムコストの削減に貢献します。さらにEEPROM代替機能を実現するReRAMのデータ領域は2KB/4KB/8KB/16KBと必要に応じて最適なサイズの製品を選択できます。

3.高速で信頼性の高い書換えで、幅広いアプリケーションに適用可能

新不揮発性メモリとして期待されているメモリ技術として様々なものが開発されています。 今回量産するReRAMはタンタル酸化物を使った抵抗変化素子への電圧印加による酸化・還元反応で抵抗変化する書換え原理のため、磁気などの外界からの影響を受けにくく、高信頼性を実現できます。

【製品概要】

パッケージタイプとReRAM容量の異なる16品種を第1弾としてリリースし、順次ラインナップを拡充します。

製品名 MN101LR05D MN101LR04D MN101LR03D MN101LR02D
パッケージ TQFP80ピン12mm角 TQFP64ピン10mm角 TQFP48ピン7mm角 HQFN32ピン5mm角
CPU 8bit 当社製AMマイコン
ReRAM容量
(プログラム領域/データ領域)
62KB/2KB、59KB/4KB、53KB/8KB、41KB/16KB
RAM容量 4KB
LCDドライバ 43SEG×4COM
39SEG×8COM
31SEG×4COM 21SEG×4COM なし
動作周波数 10 MHz(1.8 V〜3.6 V)
1 MHz(1.3 V〜3.6 V)
32 kHz(1.1 V〜3.6 V)
周辺機能 12ビット ADコンバータ,
リアルタイムクロック(時計機能),
DMA,
8/16ビットタイマ,
シリアル(UART/SPI/I2C),
LVI(電圧検知機能)

【用語の説明】

[1] ReRAM(Resistive Random Access Memory)
金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで大きな抵抗変化を生じさせ“0”“1”を記憶 する不揮発性メモリ。
金属酸化物を電極ではさんだシンプルな構造で、製造プロセスが簡単であり、低消費電力特性や高速書換え特性などの優れた特長を有する。

[2] エナジー・ハーベスト技術
光、熱、振動、電磁界など、環境中の微小なエネルギーを収穫して電力に変換する技術。

[3] EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)
電気的に内容を書換えることができる不揮発性メモリ。

以上