パワーデバイス向け 高耐熱半導体封止材を製品化~産業用、車載用パワーデバイスのさらなる高温での性能・信頼性向上に貢献

2015年10月 5日

トピックス

パナソニックがパワーデバイス向け 高耐熱半導体封止材を製品化

パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社(以下、パナソニック)は、パワーデバイスのさらなる高温動作に対応する業界最高(※1)の耐熱性能を実現した高耐熱半導体封止材を製品化、2015年10月1日よりサンプル対応を開始しました。

<商品情報>
▼パナソニックの半導体封止材
http://industrial.panasonic.com/jp/electronic-materials/products/sem
・パナソニックの電子材料
http://industrial.panasonic.com/jp/electronic-materials

大電流に対応し、省エネルギー化、小型・軽量化を実現するキーデバイスとして、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスや窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスに、昨今注目が高まっています。従来の125~150℃で動作するシリコン(Si)素子に比べ、SiC素子やGaN素子は200℃以上の高温での動作が可能であり、パワーデバイスを構成する半導体封止材をはじめとした各種材料においてもさらなる高耐熱性や長期信頼性などが求められます。パナソニックでは業界最高(※1)の耐熱性能を実現し、さらに長期信頼性に優れた半導体封止材を製品化しました。産業用、車載用インバータなどに使用されるパワーデバイスのさらなる高温での性能向上と信頼性向上に貢献します。

■高耐熱半導体封止材の特長   
1. 業界最高(※1)の耐熱特性でパワーデバイスの性能向上に貢献
半導体封止材のガラス転移温度:210℃ パナソニック従来品(※2):170℃~180℃
2. 長期信頼性に優れ、パワーデバイスの信頼性向上に貢献
・冷熱サイクル試験(-40℃から200℃を1000サイクル後):剥離(※3)なし、クラック(割れ)(※4)なし
・高温放置試験(200℃ 3000h処理後):剥離(※3)なし、クラック(割れ)(※4)なし

※1:SiCパワーデバイスやGaNパワーデバイス用の半導体封止材として。2015年10月1日現在、パナソニック調べ。
※2:パナソニック従来品(品番CV4100シリーズ)
※3:リードフレームおよび素子と当封止材の剥離 
※4:当封止材のクラック(割れ)

■用途
産業や車載のインバータなどで使用されるパワーデバイス、パワーモジュールのモールド成形用封止樹脂

【商品のお問い合わせ】
オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 電子材料事業部
https://industrial.panasonic.com/jp/contact-us

<関連情報>
▼[プレスリリース]パワーデバイス向け 高耐熱半導体封止材を製品化(2015年10月1日)
http://news.panasonic.com/press/news/data/2015/10/jn151001-1/jn151001-1.html
・パナソニックの電子デバイス・産業用機器 商品一覧
http://industrial.panasonic.com/jp/products

発表年月
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