プレスリリース

2006年8月3日

最新の液浸ＡｒＦ技術を適用したフルインテグレーションに着手

システムＬＳＩプロセス開発の協業を４５nmへ拡大

　 松下電器産業株式会社（本社：大阪府門真市、代表取締役社長：大坪 文雄）と 株式会社ルネサス テクノロジ（本社：東京都千代田区、会長＆CEO：伊藤 達）は、 1998年よりプロセス技術の共同開発を継続してきましたが、2005年10月より第五次として次世代の 45nm システム LSI プロセスについても共同開発に着手しました。 この度、45nm システム LSI 用としては業界初の開口率 (NA) が 1 以上の液浸 ArF スキャナー＊１ を導入し、フルインテグレーション＊２ に着手したことで本格的な生産技術開発の段階に入りました。

　 両社は、ルネサス テクノロジ設立以前の1998年に次世代システム LSI 技術の共同開発に合意し、2001年に 130nm DRAM 混載プロセス、2002年に 90nm システム LSI プロセス、 2004年に 90nm DRAM 混載プロセス、2005年に 65nm システム LSI プロセスをそれぞれ開発完了し、着実に開発成果を上げてきました。
　 今回共同開発する 45nm システム LSI 用プロセスは、両社の最先端モバイルやデジタル家電用のシステム LSI に適用されるものです。 この中で最新の液浸 ArF リソグラフィー技術は、ロジック用として業界で初めて開口率 (NA) が 1 を越えるものです。 更に、このリソグラフィー技術以外にも、歪導入高移動度トランジスタ＊３ や ELK(K=2.4) 多層配線モジュール＊４ の開発など最新技術の導入を進めております。

　 今後、両社は従来の技術の蓄積と今回の成果及び信頼関係をベースに、開発リソースの分担、技術情報の共有により、 効率的な先端技術の開発を行い、2007年度中頃の開発完了、2008年度の量産開始を目指して、協業を進めてまいります。

＊１ ： 投影レンズとウェハ間を液体で満たしてレンズ径を大きくして解像度を高める技術
＊２ ： 要素モジュール毎の製造ではなく、すべてのウエハプロセスを一貫して製造すること
＊３ ： 局所的なストレスをトランジスタに導入して電流駆動能力を高める技術
＊４ ： 比誘電率の小さい層間絶縁膜を用いた多層銅配線技術

【問い合わせ先】

松下電器産業株式会社　半導体社　企画グループ　広報チーム　[担当：中小路]
〒617-8520　京都府長岡京市神足焼町1
TEL: 075-951-8151
E-mail: semiconpress@ml.jp.panasonic.com


株式会社ルネサス　テクノロジ　経営企画統括部　広報・宣伝部　[担当：磯崎]
〒100-6334　東京都千代田区丸の内二丁目4番1号(丸ビル)
TEL: 03-6250-5557 (ダイヤルイン)
E-mail: csc@renesas.com
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