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2010年6月24日

プレスリリース

世界初界面伝導による10万倍の抵抗値変化を記憶

強誘電体を用いた新構造のメモリスタを開発

脳型の学習機能を有する素子の実現に貢献

記事の内容は発表時のものです。
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