パナソニック株式会社(本社:大阪府門真市、代表取締役社長:大坪 文雄、以下パナソニック)と株式会社ルネサス テクノロジ(本社:東京都千代田区、代表取締役会長:塚本 克博、以下ルネサス)は、システムLSI先端プロセス技術の共同開発機能をルネサスの那珂事業所(茨城県ひたちなか市)に集約し、同所に敷設した32/28nmプロセスの開発ラインを2009年10月1日より稼動させます。両社は、300mmウェハ量産ラインを有する那珂事業所に共同開発機能を集約し、共同開発体制を整えることで、28nmプロセス技術の開発を同所にて開始し、早期の量産を目指します。
両社は、ルネサス設立以前の1998年に次世代システムLSI技術の共同開発に合意し、ルネサス北伊丹事業所(兵庫県伊丹市)にて90nm、65nm、45nm、32nmと半導体プロセス技術の共同開発を続けてまいりました。2008年10月には本共同開発の成果として、32nmシステムLSIプロセスについて、Metal/High-kゲートスタック構造を有するトランジスタ技術と超Low-k材料を用いた配線技術を開発し、量産適用の目処を得ました。更に、2009年7月には28nmプロセス用のMetal/High-kゲートスタック構造を使ったSRAMセルの開発を完了しました。そこで、今回ルネサス那珂事業所に新たに敷設した300mmウェハ開発ラインにて、28nmプロセス加工技術を用いたフルインテグレーション技術の共同開発を行うため、同ラインの稼動を開始します。
那珂事業所の開発ラインでは、ルネサス北伊丹事業所の開発ライン設備の一部を移管した上で、新たに追加の生産設備を導入しています。実際に量産を行うウェハサイズにて開発を行うことで、量産への移行をスムーズに行い開発費の削減と開発期間短縮を図り、開発・生産効率を向上します。
共同開発成果である32/28nmシステムLSIプロセス技術は、両社の最先端モバイル用途やデジタル家電用のシステムLSIに適用し、それぞれの生産拠点で量産します。
両社は今後も、従来の技術の蓄積と今回の成果及び長年に亘り培ったパートナーシップをベースとし、効率的な先端技術の開発を行い早期の量産を目指します。
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